光子桥接优势:
1、实现硅基光电芯片网络之间低损耗连接;
2、实现硅基光子芯片网络连接自动化,提升连接效率;
3、提升每毫米芯片尺度连接密度,提升硅基光子芯片集成度;
4、实现三维空间硅基光子芯片间自由连接。
光子桥接激光键合方式具有无需压力、无高温残余应力、无需强电场干扰等诸多优势。
激光退火:
激光退火技术主要用于修复半导体材料,尤其是硅。传统的加热退火技术是把整个晶圆放在真空炉中,在一定的温度(一般是300-1200℃)下退火10-60min。这种退火方式并不能完全消除缺陷,高温却导致材料性能下降,掺杂物质析出等问题。因此从上世纪末开始,激光退火的研究就变得十分活跃,发展出毫秒级脉冲激光退火、纳秒级脉冲激光退火和高频Q开关脉冲激光退火等多种激光退火方法。近些年来,激光退火已在国内外取得了一些成熟的应用。激光退火主要优势体现在:
(1)加热时间短,能够获得高浓度的掺杂层;
(2)加热局限于局部表层,不会影响周围元件的物理性能;
(3)能够能到半球形的很深的接触区;
(4)由于激光束可以整形到非常细,为微区薄层退火提供了可能。
激光钻孔:
激光钻孔广泛用于金属、PCB、玻璃面板等领域的钻孔。