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紫外光刻对对光源系统的要求

发布时间:2022-12-24      点击次数:107
  紫外光刻机广泛用于MEMS和光电子,例如LED生产。它经过特殊设计,方便处理各种非标准基片、例如混合、高频元件和易碎的III-V族材料,包括砷化镓和磷化铟。而且该设备可通过选配升级套件,实现紫外纳米压印光刻。它具有以下亮点:高分辨率掩模对准光刻,特征尺寸优于0.5微米、装配SUSS的单视场显微镜或分视场显微镜,实现快速准确对准、针对厚胶工艺进行优化的高分辨光学系统、可选配通用光学器件,在不同波长间进行快速切换等。
  紫外光刻机是利用一定波长的紫外光,通过掩模版使特定区域的光透过,从而辐照到光刻胶表面进行曝光。紫外光刻是典型的大面积光刻技术,能够快速实现微纳光学器件地复制。所用的波长一般为365nm,极限曝光分辨率为1μm,对准精度0.6μm,最大掩模尺寸为5英寸,样品尺寸支持各种不规则片以及4英寸晶圆,具有真空接触曝光、硬接触曝光、压力接触曝光以及接近曝光四种功能。同时可提供紫外纳米压印功能,最高分辨率可达50nm。
  紫外光刻对对光源系统的要求
  a.有适当的波长。波长越短,可曝光的特征尺寸就越小;[波长越短,就表示光刻的刀锋越锋利,刻蚀对于精度控制要求越高,因为衍射现象会更严重。
  b.有足够的能量。能量越大,曝光时间就越短;
  c.曝光能量必须均匀地分布在曝光区。[一般采用光的均匀度 或者叫 不均匀度 光的平行度等概念来衡量光是否均匀分布]
  常用的紫外光光源是高压弧光灯(高压汞灯),高压汞灯有许多尖锐的光谱线,经过滤光后使用其中的g 线(436 nm)或i 线(365 nm)。
  对于波长更短的深紫外光光源,可以使用准分子激光。例如KrF 准分子激光(248 nm)、ArF 准分子激光(193 nm)和F2准分子激光(157 nm)等。
  曝光系统的功能主要有:平滑衍射效应、实现均匀照明、滤光和冷光处理、实现强光照明和光强调节等。

鲁公网安备 37069302000947号

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