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无掩膜直写光刻技术对比传统掩膜光刻有什么优势

更新时间:2025-06-24点击次数:90
无掩膜直写光刻设备定义为一种无需物理掩膜版、通过计算机控制的高精度光束(如激光束或数字微镜器件)直接在光刻胶或感光材料的基材上曝光图形的微纳加工设备,适用于微纳米级图形制备。其核心技术基于光学或带电粒子束(如激光直写、DMD投影)直接扫描或投影图案,消除了掩膜版制作环节,实现高精度图形转移。设备的核心优势包括高灵活性、快速原型制造能力,以及显著降低研发成本和时间周期。主要应用于科研机构、实验室及小批量工业原型制造(如微流控芯片、半导体器件开发)。
‌工作原理‌:
‌激光直写技术‌:聚焦激光束扫描曝光,最小分辨率达0.5μm(405nm光源)。
‌DMD投影技术‌:计算机生成图形控制DMD微镜反射紫外光,实现高速面扫描(如每秒数百万束光)。
对比传统掩膜光刻:
掩膜版依赖:
传统掩膜光刻:必需,成本高周期长
无掩膜直写光刻:省略
‌图案修改:
传统掩膜光刻:需重新制版,耗时耗资
无掩膜直写光刻:计算机实时调整
小批量适配性:
传统掩膜光刻:经济性差
无掩膜直写光刻:成本效率优解
三维加工:
传统掩膜光刻:受限
无掩膜直写光刻:灰阶曝光直接实现
 
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