紫外光刻仪是一种用于材料科学领域的工艺试验仪器，用于将涂有光刻胶的晶片与掩膜的对准，然后曝光，将掩膜的图形转移到晶片的光刻胶上，用于纳米器件的微加工。
紫外光刻主要功能：
采用紫外光源，实现光刻胶的曝光，将光刻版上的图形转移到光刻胶上，在光刻胶上制作出亚微米（＞0.8um）图形结构。紫外光刻系统是目前实验室光刻技术中最为常用和重要的光刻设备。
紫外(UV)光刻和直接书写的方法，其中曝光模式和剂量都是由互补金属氧化物半导体(CMOS)控制的微像素化发光二极管阵列决定的。来自演示器8x8氮化镓微像素LED的370nm紫外光使用两个背对背显微镜物镜投射到光刻胶覆盖的基底上，允许控制去除。在目前的设置中，该系统能够在直径为~8?m的圆形点中为每个成像像素提供高达8.8W/cm2。我们展示了用正光刻胶和负光刻胶书写的示例结构。
光刻技术是微图案化的方法， 按照最近报道的方法设计了CMOS控制装置，使交替像素可操作，从而得到了一个发光的8x8阵列[图]1(a)]。这是由于凹凸键合过程，目前限制了像素到像素间距为~200?m。
紫外光刻机的主要核心部件主要分为两个部分：分别是对准系统和紫外光源。
目前对准系统主要有两大难题，精密的机械工艺和对准显微镜系统。精密的机械工艺目前只有美国，而对准显微镜系统其实就是镜片，在这方面我国一直处于落后的状态。
关于紫外光源，光刻机对光源的要求十分高，一是要有适当的波长，二是光要有足够的能量，三是光能量且必须要均匀的分布在曝光区。
